By H. Teichmann, W. Knüpfer

Das vorliegende Taschenbuch ist das erste einer Reihe von vier Taschenbtichern, in denen ein viersemestriger Vorlesungszyklus nieder­ gelegt ist, den ich tiber viele Jahre an der Universitiit Wtirzburg gehalten habe. Das Zie1 dieser Vorlesungen ist, den Studierenden der Physik einen umfassenden Uberblick tiber das mit elektronischen Vorgiingen verkntipfte physikalische Geschehen und seine Anwendungen zu geben. Hierbei habe ich mich von der Vorstellung lei ten lassen, die Grundlagen moglichst obvious in ihren Zusammenhiingen darzustellen, um im Gediichtnis leicht iu speichernde Informationen zu vermitteln, die bei Bedarf das Fundament fUr das Aneignen vertiefter Spezialkenntnisse ermoglichen. Diesem Ziel dient die Gliederung des Inhaltes der vier Taschenbiicher, der in Band I die Phiinomene der elektronischen Leitung und der Elektronenoptik behandelt, fUr den in Band II die Beschreibung elektronischer Bauelemente und Geriite sowie eine Ein­ fUhrung in die Vierpoltheorie vorgesehen ist, der in Band III eine Dar­ stellung der Strahlungselektronik und Hochfrequenztechnik bringt und schlieBlich in Band IV in die Kybernetik und Informationselek­ tronik einfUhren wird. Der weitgespannte Rahmen macht es schwierig, fUr dieses Vorlesungs-und damit auch fUr das Buchvorhaben eine Sam­ melbezeichnung zu finden. Mir schien die Benennung "Angewandte Elektronik" unter den sich anbietenden Moglichkeiten die optimale. Der Anklang, den diese Vorlesungen bei den Studierenden fanden, und die sehr gute Aufnahriieder VeroffentIlclil. lngen von Teilgebieten meiner Vorlesungen haben mich zu dieser Gesamtdarstellung ermutigt.

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1m zweiten Fall - der Leitung durch positive Defektelektronen - spricht man von p-Leitung. Elemente, die mehr als vier Valenzelektronen haben (P, As, Sb), haben sich als Elektronenspender erwiesen, solche mit weniger als vier Valenzelektronen (B, AI, Ga, In) als Elektronenranger. So kann man beispielsweise durch Einbau von Phosphor (P, 5 Valenzelektronen) in das Kristallgitter des Siliziums n-Leitung hervorrufen, wahrend der Einbau von Bor (B, 3 Valenzelektronen) p-Leitung verursacht. Durch sauber dosierte Beigaben von Fremdatomen zur Schmelze der reinen halbleitenden Substanz lassen sich aus dieser Kristalle gewiinschter, ja sogar wechselnder Leitrahigkeitsmechanismen ziehen.

DaB in Wirklichkeit eine Geschwindigkeitsverteilung existiert, so miissen wir dem an dieser Stelle der Ableitung der Boltzmannschen Transportgleichung Rechnung tragen. ~ ') { X \ I \ \ \ \ \ \ q Abb. 11. Winkelabhiingigkeit der striimenden Menge Die Summation von [43] iiber siimtliche dn, [3] Elektronen ergibt fUr die in Richtung des Winkels S iibertragene Menge dr[S]: dr=2C ~~ cos 2 S·1:1=2C ~~ cos 2 S1dn.. [45] wobei wir anstelle der freien Wegliinge des einzeinen Elektrons die mittIere freie Wegliinge gemiiB ihrer Definition: 1 = d~ ·1:1 eingefiihrt haben.

M. [61] bei konstanter Temperatur. Es rallt besonders auf, daB dieses Produkt unabhangig von der Fe1dstarke H des transversalen Magnetfeldes ist. Die Gleiehung [60] weist darauf hin, daB man die Hallkonstante zur Bestimmung der Elektronenkonzentration verwenden kann; ein Verfahren, das sieh insbesondere an elektronisehen Halbleitern bewahrt hat. 2. Die Erweiterung der Theorie durch H. A. Lorentz und A. 1. Allgemeine Betrachtungen Die Drudesche Theorie basierte auf der Annahme, daB die Elektronen siimtlich die gleiche mittlere Geschwindigkeit c besitzen.

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